صفحه 9 از مقایسه سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت	زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Sandisk VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	WD NVMe Architecture
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	540,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	SK Hynix DDR4
طول عمر متوسط	-	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI
وزن محصول	-	7.5 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

Sandisk VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	-
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
نرخ نوشتن ترتیبی	-	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	120,000IOPS
طول عمر متوسط	-	200 (TBW) ترابایت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL
وزن محصول	-	7.5 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Sandisk VS ایکس انرژی

ویژگی	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	TLC
نرخ نوشتن ترتیبی	-	400 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایتبا شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

Sandisk VS دی شیشو

ویژگی	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت	شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	mSATA
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	استاندارهای FCC , CE , ROHS
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	TLC
نرخ نوشتن ترتیبی	-	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	550 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7، 8، 10 مک OS لینوکس

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت

Sandisk VS Samsung

ویژگی	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 2242
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	-
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
نرخ نوشتن ترتیبی	-	940 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTTF) ساعت
وزن محصول	-	3.9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Sandisk VS ام جی

ویژگی	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	-
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	مایع خنک‌کننده
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	42 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

Sandisk VS سیگیت

ویژگی	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	-
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
وزن محصول	-	47 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت

Sandisk VS Samsung

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	-
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نرخ نوشتن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت

Sandisk VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	MAP1202
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
رنگ‌بندی	-	آبی
وزن محصول	-	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت

Sandisk VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت

Sandisk VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	سن‌ دیسک Portable E30 USB 3.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر ضربه از ارتفاع 2 متری ** محل اتصال بند به کوله‌پشتی یا کیف	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	9.91 * 46.9 * 96.9 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل Type-A به Type-C	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,200,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
وزن محصول	-	660 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه