صفحه 12 از مقایسه سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS -
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
فناوری رمزنگاری - AES 128-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - دارای گواهینامه IP55
مواد بدنه - پلاستیک
محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 128-bit
اندازه و ابعاد 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر
وزن محصول 40.6 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED true true
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش
مجوزها و تاییدیه‌ها - دارای گواهینامه IP55
مواد بدنه - پلاستیک

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP55 -
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5016-E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 MB DDR4
طول عمر متوسط - 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش

مقایسه سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP55 CE, FCC, cTUVus, RoHS
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر -
وزن محصول 20 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP55 -
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - NAND Flash
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP55 -
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E19T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر سازگار با پلی‌استیشن 5 ** مک OS ایکس ** ویندوز 10
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP55 -
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر 11 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 410 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ویندوز
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP55 CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 MB Micron DDR3
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP55 -
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 950,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128-bit AES 256bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP55 -
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E18
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP55 -
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.5 وات در حالت فعال

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 128-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها دارای گواهینامه IP55 RoHS
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 8.9 * 49.5 * 96.2 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
نشانگر وضعیت LED true -
محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
نوع حافظه DRAM - LPDDR4