صفحه 9 از مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	S4LV003	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1655 (TBW) ترابایت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول	-	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	TLC NAND
کنترلر (Controller)	S4LV003	-
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی نرم‌افزار SP Toolbox
وزن محصول	-	63 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	2Ch	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	350 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	41 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ویکومن

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	S4LV003	-
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	10 * 70 * 100 میلی‌متر
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز (7،8،8.1،10) مک OS لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
وزن محصول	-	100 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	S4LV003	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	100,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND TLC	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Metis Controller	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	93,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	30,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit Encryption (Class 0)	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Samsung VS خودروسازی دی اس

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	-
کنترلر (Controller)	S4LV003	-
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	170,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	2.8 آمپر
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	0.11 وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
وزن محصول	-	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller)	S4LV003	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.5 آمپر
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
وزن محصول	-	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ایکس انرژی

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	TLC
کنترلر (Controller)	S4LV003	-
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	RoHS, CE, FCC
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	-
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	S4LV003	-
نرخ خواندن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	4 MB LPDDR4	LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6 Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	25,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
میزان توان مصرفی	1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه