صفحه 4 از مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۲ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 600,000IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه PCI Express ۲.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 6400 مگابایت بر ثانیه 7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows (برای عملکرد داشبورد)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung TLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی - 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 256 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی - 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی - 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND ۳D cMLC
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 6400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
وزن محصول - ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS