صفحه 3 از مقایسه SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) M.۲
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۵۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۰۰۰۰۰ IOPS

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) M.۲
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۵۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۰۰۰۰۰ IOPS

مقایسه SSD اینترنال سامسونگ PM9A1با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۰۰۰۰۰ IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
وزن محصول - ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

وزن محصول ۱۶۴ گرم -
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر M.۲
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه - ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۵۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۰۰۰۰۰ IOPS
پورت اتصال حافظه - PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) M.۲
وزن محصول ۸ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۵۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۰۰۰۰۰ IOPS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" M.۲
پورت اتصال حافظه SAS PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۵۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۰۰۰۰۰ IOPS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS ۵۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS ۶۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) M.۲
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۵۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS ۶۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه SSD اینترنال سامسونگ PM9A1با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۰۰۰۰۰ IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طول عمر متوسط - ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۲۰۵ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS ۵۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS ۶۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) M.۲
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
نرخ خواندن ترتیبی - ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۵۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۶۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال سامسونگ PM9A1

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) M.۲
وزن محصول ۲.۸ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۵۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۰۰۰۰۰ IOPS