مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893با WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی -
شیوه اتصال -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
طراحی و ابعاد دستگاه -

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

نوع کاربری حافظه حافظه فلش NAND اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2 -
شیوه اتصال NVMe -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7150 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) آخرین حافظه NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) کنترلر با روکش نیکل -
سیستم‌عامل‌های سازگار کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ -
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان توان مصرفی کارآمد -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۷۰ گرم

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 -
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND V-NAND TLC
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
میزان ظرفیت حافظه - ۹۶۰ گیگابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۷۰ گرم

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 -
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) V-NAND TLC
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۷۰ گرم

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

نوع کاربری حافظه SSD داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 NVMe -
شیوه اتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,450 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,900 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM بله -
محدوده دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Samsung Elpis Controller -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه ۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ بله -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5 -
فناوری رمزنگاری رمزگذاری AES 256 بیتی ۲۵۶-bit AES
رنگ‌بندی سیاه -
اندازه و ابعاد M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول تقریباً 8.0 گرم ۷۰ گرم
محتویات جعبه SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان توان مصرفی عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۷۰ گرم

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰ IOPS 800,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷۰ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۷۰ گرم

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) PHISON E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۷۰ گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit ۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V