صفحه 19 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	8.5 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	۲.۵"	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۵۸ گرم	6 گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۳.۸۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۵۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	-
نرخ خواندن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	9 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883	سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰ IOPS	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	۲.۵"	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۵۸ گرم	63 گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی نرم‌افزار SP Toolbox
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM S270 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM S270 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON S11	-
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	360 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	72,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 40 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	1.8 وات * حالت استفاده ** 325 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان	-
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.2 ميلي‌متر	۲.۵"
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۵۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	6500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰ IOPS	650,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	۲.۵"	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۵۸ گرم	7 گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	TLC NAND
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1450 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

فدک مموری VS سامسونگ

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۳.۸۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2040 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1270 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	حدود 8 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	34 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با تیم گروپ CX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883	تیم گروپ CX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	490 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰ IOPS	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	۲.۵"	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۵۸ گرم	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FC, CE, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اسکو ON900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

اسکو VS سامسونگ

ویژگی	اسکو ON900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FC, CE	-
اندازه و ابعاد	4.1 * 22 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۰۰۰۰ IOPS
وزن محصول	-	۵۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	125,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	7.2 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	8 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه