مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b$

مقایسه با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

ویژگی		اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b
نوع کاربری حافظه	SSD داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 NVMe	No
شیوه اتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱۲۸ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	بله	-
محدوده دمای عملیاتی	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND	-
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis Controller	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه	۶۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه	۸۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	بله	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5	-
فناوری رمزنگاری	رمزگذاری AES 256 بیتی	-
رنگ‌بندی	سیاه	مشکی
اندازه و ابعاد	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)	۲.۵"
وزن محصول	تقریباً 8.0 گرم	-
محتویات جعبه	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
میزان توان مصرفی	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b$

مقایسه با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

Samsung VS سامسونگ

ویژگی		اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b
نوع کاربری حافظه	حافظه فلش NAND	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2	No
شیوه اتصال	NVMe	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱۲۸ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7150 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	آخرین حافظه NAND	-
کنترلر (Controller)	کنترلر با روکش نیکل	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ	-
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	-
فناوری رمزنگاری		-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	۲.۵"
محتویات جعبه	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
میزان توان مصرفی	کارآمد	-
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۶۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD$

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871bبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونگ VS Sandisk

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
میزان ظرفیت حافظه	۱۲۸ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۸۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۰۰۰۰ IOPS	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	۲.۵"
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال
شیوه اتصال	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-
قابلیت‌های جانبی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b$

مقایسه با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

KingSpec VS سامسونگ

ویژگی		اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b
نوع کاربری حافظه	درایو حالت جامد داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe Gen3x4	No
شیوه اتصال	NVMe Gen3x4	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	۱۲۸ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	تا 2400 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)	-
کنترلر (Controller)	کنترلر اصلی با کیفیت بالا	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
قابلیت‌های جانبی	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	۲.۵"
محتویات جعبه	SSD، مستندات	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۶۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b$

مقایسه با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

Crucial VS سامسونگ

ویژگی		اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen4 x4	No
شیوه اتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,100 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron G8 NAND	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	۲.۵"
محتویات جعبه	مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
میزان ظرفیت حافظه	-	۱۲۸ گیگابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۶۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱۲۸ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON E21T	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۶۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	950,000IOPS	۸۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر	۲.۵"
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱۲۸ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	۶۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	۸۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	9.7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱۲۸ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	-
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۶۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۸۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱۲۸ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	۶۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۸۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871bبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱۲۸ گیگابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۸۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b$

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	۱۲۸ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۶۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	۸۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	9 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM871b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱۲۸ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۶۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۸۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	۲.۵"
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه