صفحه 4 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۱.۶ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) Half-Height/Half-Length (HH/HL)
وزن محصول ۶.۵ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) Half-Height/Half-Length (HH/HL)
وزن محصول ۷.۷ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) Half-Height/Half-Length (HH/HL)

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) Half-Height/Half-Length (HH/HL)
وزن محصول ۷.۳ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash -
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر Half-Height/Half-Length (HH/HL)
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر Half-Height/Half-Length (HH/HL)
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر Half-Height/Half-Length (HH/HL)
وزن محصول 9.7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک Half-Height/Half-Length (HH/HL)
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ -
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) Half-Height/Half-Length (HH/HL)
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) Half-Height/Half-Length (HH/HL)

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) Half-Height/Half-Length (HH/HL)
وزن محصول ۶۹ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E21T -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر Half-Height/Half-Length (HH/HL)
نشانگر وضعیت LED false -