صفحه 6 از مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
اندازه و ابعاد ۲.۵" -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) ۲.۵"
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

وزن محصول ۱۶۴ گرم -
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر ۲.۵"
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه - ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه - Serial ATA III
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۶۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) ۲.۵"
وزن محصول ۲.۶ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

فناوری رمزنگاری Yes No
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر) ۲.۵"
وزن محصول ۱۴ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) ۲.۵"
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No No
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 960 گیگابایت مدل MZ7L3960HCJR-00A07

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS