صفحه 8 از مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	mSATA	فرم فکتور مخصوص اپل
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D MLC NAND	MLC
نرخ خواندن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 698 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر	13 * 8 * 1 میلی‌متر
وزن محصول	41 گرم	30 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار VS Samsung

ویژگی	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	فرم فکتور مخصوص اپل
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	9.5 * 60 * 86 میلی‌متر	13 * 8 * 1 میلی‌متر
وزن محصول	40.6 گرم	30 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A کابل USB Type-C به USB Type-C دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	MLC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فکتور مخصوص اپل
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	13 * 8 * 1 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	30 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	فرم فکتور مخصوص اپل
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	13 * 8 * 1 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	30 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فکتور مخصوص اپل	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	13 * 8 * 1 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	30 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	100,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فکتور مخصوص اپل	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	13 * 8 * 1 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	30 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung VS بلو

ویژگی	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فکتور مخصوص اپل	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	13 * 8 * 1 میلی‌متر	2.38 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	30 گرم	4.8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نرخ خواندن ترتیبی	-	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	90,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	82,000ّIOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	50 میلی‌وات * حالت فعال ** 1.8 وات * حالت خواندن ** 2.0 وات * حالت نوشتن ** 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 22110	فرم فکتور مخصوص اپل
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	MLC
کنترلر (Controller)	Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	Samsung 1.5 GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر	13 * 8 * 1 میلی‌متر
وزن محصول	20 گرم	30 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Samsung VS خودروسازی دی اس

ویژگی	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فکتور مخصوص اپل	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	13 * 8 * 1 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	30 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نرخ خواندن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1600 مگابایت ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	2.8 آمپر
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	0.11 وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس

ویژگی	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فکتور مخصوص اپل	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	13 * 8 * 1 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	30 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
نرخ خواندن ترتیبی	-	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 960 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فکتور مخصوص اپل	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
اندازه و ابعاد	13 * 8 * 1 میلی‌متر	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	30 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
نرخ خواندن ترتیبی	-	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	500 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه	-	پلاستیک
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فکتور مخصوص اپل
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	13 * 8 * 1 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
وزن محصول	-	30 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه