صفحه 5 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۵۷ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	۸ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۵۷ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۸ ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۵۷ گرم	۱۴ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۸ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۶.۵ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۸ ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)	۲.۵"
وزن محصول	۵۷ گرم	۵۸ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۳ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۶۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۲.۶ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۸ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۲ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

پردیتور VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۸ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۲۵۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۷۴۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷ گرم	۵۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۵۷ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	۸ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۶۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
اندازه و ابعاد	M.۲	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۲.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۵۷ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۵۷ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه