صفحه 5 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 80 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	70 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال Integral 4TB ADVANTAGE PRO-2 M.2 PCIe Gen4 NVMeبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

اینتگرال VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال Integral 4TB ADVANTAGE PRO-2 M.2 PCIe Gen4 NVMe	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۲۴۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۴۷ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۲ * ۸۰ میلی‌متر)	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۶ گرم	۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ایکس انرژی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	2,000,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۴۶ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	90,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۴۶ گرم	160 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SAS
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Native SAS 3.0
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	151,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لسی STHK2000800 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

لسی VS سامسونگ

ویژگی	لسی STHK2000800 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	10.2 * 78.7 * 94 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	90 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	true	-
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	-	Serial ATA III

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال Integral 250GB 2.5 اینچ SATA 3 (سری V2)با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

اینتگرال VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال Integral 250GB 2.5 اینچ SATA 3 (سری V2)	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۸۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۲ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۵ گرم	۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با تیم گروپ MS30 SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	تیم گروپ MS30 SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	10 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با سیلیکون پاور P34A60 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	سیلیکون پاور P34A60 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Intel 64-Layer TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	240,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	250,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AST280 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Acer VS سامسونگ

ویژگی	اپیسر AST280 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	500 MB	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	470 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	23,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	1.35 وات * حالت فعال ** 0.3 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	6.3 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG OPAL3, TCG Pyrite	Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و 8 (نیاز به ایور) و ویندوز 10 * لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8.2 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison S11	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	0.9 تا 3.6 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک OS X لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه