صفحه 20 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی	لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	51,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	420,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سیگیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	700,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	7.7 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	5.8 وات * حالت فعال ** 0.014 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG SPECTRIX S20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	190,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB ** نرم‌افزار SSD ToolBox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, EAC, KCC, RCM, BSMI, RoHS	-
اندازه و ابعاد	7.55 * 22.1 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	15.4 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	true	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	620,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	560,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	Yes
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

بایواستار VS سامسونگ

ویژگی	بایواستار M500 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR3/DDR3L	-
میزان توان مصرفی	2 وات در حالت فعال و 2 میلی‌وات در حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	9.5 * 23 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	true	-
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایمیشن A320 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ایمیشن VS سامسونگ

ویژگی	ایمیشن A320 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 1 آمپر	۵ V
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	1.44 وات * حالت خواندن ** 3.42 وات * حالت نوشتن ** 0.3 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Imation Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, RoHS	-
اندازه و ابعاد	7 * 69 * 100 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	80 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

فدک مموری VS سامسونگ

ویژگی	فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	60 (TBW) ترابایت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال CoreParts SSDM256I856با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

کورپارتس VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال CoreParts SSDM256I856	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
میزان ظرفیت حافظه	۱۲۸ گیگابایت	۴ ترابایت
وزن محصول	۲۰۰ گرم	۴۶ گرم
اندازه و ابعاد	۹۰ * ۳۰ * ۱۸۰ میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	-	Serial ATA III

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AS340 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Acer VS سامسونگ

ویژگی	اپیسر AS340 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	1.26 وات * حالت فعال ** 0.32 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	KCC, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	60 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Acer VS سامسونگ

ویژگی	اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,618IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	30,176IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	1.45 وات * حالت فعال ** 0.32 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * نرم‌افزار Apacer SSD Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	KCC, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI, RoHS	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	59 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه