صفحه 8 از مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

ویژگی	کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	46,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.0 W	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول	71 گرم	۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TBبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS توشیبا

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB	توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	-
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	-
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	-
نرخ خواندن ترتیبی	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۱۰۲ گرم	-
اندازه و ابعاد	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

Crucial VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	۱۰۲ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	۲۵۶-bit AES
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	۱۰۲ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	256 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

ASUS VS سامسونگ

ویژگی	ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	-
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۴ ترابایت
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 40 درجه سانتیگراد	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا Mac OS X 10.6 به بالا ان*وید (دستگاه‌های دارای OTG)	-
قابلیت‌های جانبی	سرعت انتقال داده تا 10 گیگابیت بر ثانیه پشتیبانی از SSD با فرم فکتورهای 2230/2242/2260/2280 دارای نگهدارنده با قلاب R شکل به منظور حمل آسان ** دارای نورپردازی ARGB با پشتیبانی از فناوری ASUS Aura Sync و ROG Strix Arion	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
اندازه و ابعاد	10.9 * 47.7 * 124.5 میلی‌متر	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول	98 گرم	۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	true	-
محتویات جعبه	کابل USB-C به USB-A کابل USB-C به USB-C پین اجکتور ** دفترچه راهنما	-
نرخ خواندن ترتیبی	-	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TBبا سامسونگ T5 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB	سامسونگ T5 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	-
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی	مشکی	آبی، قرمز، طلایی
وزن محصول	۱۰۲ گرم	51 گرم
اندازه و ابعاد	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر	10.5 * 57.3 * 74 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, RoHS2
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	AES 256-bit
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung 64L TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS X نسخه 10.9 و بالاتر ان*وید 4.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از UASP ** نرم‌افزار Samsung Portable SSD
مواد بدنه	-	پلاستیک
نشانگر وضعیت LED	-	true
محتویات جعبه	-	کابل USB نوع C به USB نوع A کابل USB نوع C به USB نوع C دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TBبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 4 ترابایت
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	-
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۱۰۲ گرم	98 گرم
اندازه و ابعاد	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر	13 * 59 * 88 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	AES 256-bit
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک OS ان*وید
قابلیت‌های جانبی	-	سازگار با نرم‌افزارهای Samsung Portable SSD Software 1.0 و Samsung Magican گواهینامه IP65 سازگار با تلوزیون‌های هوشمند و کنسول‌های بازی
نشانگر وضعیت LED	-	true
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TBبا وسترن دیجیتال My Passport USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB	وسترن دیجیتال My Passport USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 1 ترابایت
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	-
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد	-
رنگ‌بندی	مشکی	خاکستری، مشکی، قرمز، قهوه‌ای، نقره‌ای
وزن محصول	۱۰۲ گرم	45.7 گرم
اندازه و ابعاد	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر	8.89 * 55.12 * 100.08 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	AES 256bit
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10 و بالاتر ** مک OS نسخه 11 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C آداپتور USB Type-C به USB Type-A نرم‌افزار WD Discovery backup ** دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SD700 USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا SD700 USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	440 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	دارای گواهینامه IP68 استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS	Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI
رنگ‌بندی	مشکی، زرد	مشکی
اندازه و ابعاد	13.9 * 83.5 * 83.5 میلی‌متر	۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول	75 گرم	۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	true	-
محتویات جعبه	کابل Micro-B به USB Type-A ** دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES

مشاهده جزئیات مقایسه