صفحه 3 از مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۷ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۲۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	9 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	۳D TLC
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	-
نرخ خواندن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۱۴۰۰
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	۳D cMLC
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	-
نرخ خواندن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	-
نرخ خواندن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	-
نرخ خواندن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۱۲ V
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کلیو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۱۰ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۲ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	500 MB
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۶.۵ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه	۷.۶۸ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۰۰۰۰۰ IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۱۵۱.۳ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 5.4 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه