صفحه 4 از مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۲۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	8 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	470,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

Samsung VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	۳D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	3100 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	470,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۲۵۰
میزان توان مصرفی	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	470,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
وزن محصول	-	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۲ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	470,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۴۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۲.۸ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	470,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	470,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۴۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	470,000IOPS
طول عمر متوسط	۳۵۰۴	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۶۹ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

فیلیپس VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۶۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	3.3 ولت
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۳۸.۲ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	470,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۷۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۱۰۰۰ IOPS	470,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷۰ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای‌دیتا VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۵۰۰۰۰ IOPS	470,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۸۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۱۲ گرم	8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	500 MB
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۶.۵ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	470,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	3100 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	470,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	RoHS
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه