صفحه 7 از مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	260 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	10 * 80 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	560,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	7500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6850 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS	-
اندازه و ابعاد	20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	560,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لکسار VS Samsung

ویژگی	لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D QLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	DM928	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 1.6 آمپر	3.3 ولت
طول عمر متوسط	168 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI,RCM	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	560,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	560,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MBLPDDR3	2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Crucial VS Samsung

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	560,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	560,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	68 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	620,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Crucial VS Samsung

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	7 * 95 * 125 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	560,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS مایکروسافت

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	620,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	560,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	560,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	4 MB LPDDR4	2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	560,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 48-Layer MLC V-NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	440,000IOPS	620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	560,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GB LP DDR3	2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	35,000IOPS	560,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.59 وات * حالت خواندن ** 2.515 وات * حالت نوشتن 0.693 وات به صورت میانگین 0.672 وات * حالت آماده باش	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	57 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری * کیس کابل USB کابل ساتا کابل دیتا شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه