1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 8

صفحه 8 از مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 8 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 250 MB
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶.۵ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

Samsung VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 8 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8 گرم
رنگ‌بندی مشکی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کلیو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۰ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه PCI Express ۲.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گیگابایت VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶۹ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گیگابایت VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

پردیتور VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۲۵۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۷۴۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷ گرم 8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه