صفحه 5 از مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500400

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500400
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	طوسی
مواد بدنه	-	Plastic

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اکسترنال امن iStorage diskAshur² 512 گیگابایت سبز - با رمزگذاری سخت‌افزاری 256 بیتی AES-XTS، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غباربا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اکسترنال امن iStorage diskAshur² 512 گیگابایت سبز - با رمزگذاری سخت‌افزاری 256 بیتی AES-XTS، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غبار	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	Green	-
وزن محصول	۱۸۰ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۲ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۵۸ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	3.3 ولت
طول عمر متوسط	۴۸۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Plastic	-
رنگ‌بندی	سفید	-
وزن محصول	۵۶ گرم	8 گرم
اندازه و ابعاد	۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اکسترنال iStorage Kanguru U3-2HDWP-1TS 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اکسترنال iStorage Kanguru U3-2HDWP-1TS 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۲۵ * ۷۵ * ۱۰ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۲۲۷ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۹۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۵ تا ۵۵ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت USB 3.2 Gen 2 مشکی/نارنجی

Samsung VS ورباتیم

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت USB 3.2 Gen 2 مشکی/نارنجی
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	No
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Orange
مواد بدنه	-	Polycarbonate (PC)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4

Samsung VS ورباتیم

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	USB۴ Gen ۲x۲
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	۳۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۳۶۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۵ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۵۵ * ۱۰۵.۸ * ۱۸.۱ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۱۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Metal
رنگ‌بندی	-	نقره‌ای

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison S11	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	535 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EMC, FCC, KCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 99.06 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M370 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M370 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E13T	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	102,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	350,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 2.3 وات هنگام استفاده ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت سبزبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت سبز	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	Green	-
وزن محصول	۱۸۰ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۲ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۵۸ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Rubber, Silicone	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۱۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	Yes
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۸۸ * ۱۴ * ۶۰ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۱۲۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 1 ترابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 1 ترابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۶ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Zinc	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سن‌ دیسک PRO-G40 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS Sandisk

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سن‌ دیسک PRO-G40 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 35 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	12 * 58 * 111 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	121.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10 به بالا ** مک OS 10.13 به بالا
مواد بدنه	-	آلومینیوم
محتویات جعبه	-	کابل Thunderbolt 3 کابل USB 3.2 Gen 2 دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه