صفحه 36 از مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ CX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ CX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 490 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8.3 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه
مجوزها و تاییدیه‌ها - FC, CE, RoHS

مقایسه کینگ اسپک P3-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک P3-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) MK8115/INIC6081 Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 570 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 24,500IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.4 پتابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.4 وات در حالت فعال 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد -
اندازه و ابعاد 7 * 70 * 100.4 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 8.3 گرم

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 350 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 78 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.8 W 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 8.3 گرم

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Realtek RTS5733DMQ Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 47.5 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه ای دیتا XPG SX6000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX6000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Realtek Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 110,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه گودگا 2280 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گودگا 2280 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTTF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE ,FCC ,RoHS -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 82 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 AES 256-bit
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول 8.3 گرم 102 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی - سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 6500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 650,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1450 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8.3 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2242 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2242 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 42 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 8.3 گرم