صفحه 16 از مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND SanDisk 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris WD Architecture
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 405,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 1,700,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp حداکثر 3.5 وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8.3 گرم 6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CAN, CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A60 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A60 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND Intel 64-Layer TLC
کنترلر (Controller) Samsung Polaris Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 240,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8.3 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار سازگار با پلی‌استیشن 5 -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
اندازه و ابعاد 11 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 340 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه ای دیتا Falcon NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Falcon NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Realtek RTS5762DL Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC -
اندازه و ابعاد 2.9 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 8.3 گرم
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ای دیتا SE900G USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SE900G USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سیستم‌عامل‌های سازگار سازگار با ویندوز 8 به بالا ** سازگار با مک OS 10.6 به بالا ** سازگار با لینوکس Kernel 2.6 به بالا ** سازگار با ان*وید 5.0 به بالا -
قابلیت‌های جانبی نورپردازی RGB -
اندازه و ابعاد 16.5 * 66 * 110.8 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 160 گرم 8.3 گرم
محتویات جعبه کابل USB 3.2 Type-C به Type-C ** کابل USB 3.2 Type-C به Type-A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND BiCS3 64Layer WD 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 100,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 80,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.85 وات * حالت خواندن ** 4.40 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات به صورت میانگین ** 52 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 6 تا 9.7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 AES 256-bit
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 ×69.85 × 100.5 ميلی‌متر
وزن محصول 8.3 گرم 59.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مقایسه اچ پی S700 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S700 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 145 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.58 وات * حالت فعال ** 0.33 وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6ms ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities -
اندازه و ابعاد 3.35 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 5 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3

مقایسه ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 2 تربایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 2 تربایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) SanDisk BiCS4 96L 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Realtek RTS5763DL Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC -
اندازه و ابعاد 3.85 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10.5 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris ASMedia ASM2364
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 35 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 14 * 62 * 118 میلی‌متر
وزن محصول 8.3 گرم 115 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.11 و بالاتر ** پلی‌استیشن 5 ** پلی‌استیشن 4 پرو ** پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر ** ایکس باکس سری S و X ** ایکس باکس وان
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2600 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 302,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR3L 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD Tool box -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, UKCA, KC, EAC -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 8.3 گرم

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris WD NVMe Architecture
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3470 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 515,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 560,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 SK Hynix DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8.3 گرم 7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
مجوزها و تاییدیه‌ها - UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI