مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم ۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۱۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 Yes
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۸۸ * ۱۴ * ۶۰ میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم ۱۲۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe USB۴ Gen ۲x۲
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۳۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۵ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۵۵ * ۱۰۵.۸ * ۱۸.۱ میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم ۱۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مواد بدنه - Metal
رنگ‌بندی - نقره‌ای

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم ۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی سفید -
وزن محصول ۵۶ گرم 9 گرم
اندازه و ابعاد ۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی سفید -
وزن محصول ۵۶ گرم 9 گرم
اندازه و ابعاد ۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUSبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUS

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اندازه و ابعاد M.2 (۵۵.۶ * ۱۱۶.۲ * ۱۵.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۱۵۵ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه USB ۳.۲ Gen ۲x۲ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه Aluminium, Silicone -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJD500400

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJD500400

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مواد بدنه - Plastic

مقایسه اس اس دی اکسترنال MSI DATAMAG 1 ترابایت - سرعت بالا 20 گیگابیت بر ثانیهبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اکسترنال MSI DATAMAG 1 ترابایت - سرعت بالا 20 گیگابیت بر ثانیه

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۱۶۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه USB ۳.۲ Gen ۲x۲ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Aluminium -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۸۱ گرم 9 گرم
اندازه و ابعاد ۶۶ * ۶۶ * ۱۳ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500400

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500400

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - طوسی
مواد بدنه - Plastic

مقایسه اس اس دی اکسترنال گودرام SSDR-GMRE-01T-K0با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اکسترنال گودرام SSDR-GMRE-01T-K0

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اندازه و ابعاد M.2 (۳۲ * ۹ * ۷۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۱۸ گرم 9 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Aluminium -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۲۹ * ۹۲ * ۹ میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم ۲۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مواد بدنه - Aluminium
رنگ‌بندی - نقره‌ای