صفحه 2 از مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم ۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی سفید -
وزن محصول ۵۶ گرم 8.5 گرم
اندازه و ابعاد ۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH2T0S 2TB

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH2T0S 2TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۹۴ * ۱۷.۷ * ۴۰.۶ میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم ۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 1 ترابایت مشکی - USB-C

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 1 ترابایت مشکی - USB-C

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 No
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۵۴ * ۷۴.۸ * ۱۲.۵ میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم ۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مواد بدنه - Plastic
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur² 256 گیگابایت آبی - رمزگذاری AES 256 بیتی، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غباربا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur² 256 گیگابایت آبی - رمزگذاری AES 256 بیتی، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غبار

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی آبی -
وزن محصول ۱۸۰ گرم 8.5 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۶۲ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۵۸ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Rubber, Silicone -
مجوزها و تاییدیه‌ها BIS, C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت USB 3.2 Gen 2 مشکی/نارنجی

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت USB 3.2 Gen 2 مشکی/نارنجی

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 No
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 8.5 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Orange
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage diskAshur PRO3 4 ترابایت | FIPS 140-3 L3 | AES 256 بیتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage diskAshur PRO3 4 ترابایت | FIPS 140-3 L3 | AES 256 بیت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۳ * ۲۰.۸ * ۱۳۱ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۲۵۷ گرم 8.5 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۴۴۸ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۴ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Metal -
مجوزها و تاییدیه‌ها C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS, ۲۵۶-bit AES-ECB, ۲۵۶-bit AES-CBC AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل کینگستون XS1000 1TB USB 3.2 Gen 2با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل کینگستون XS1000 1TB USB 3.2 Gen 2

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Metal, Plastic -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۴۴.۸ گرم 8.5 گرم
اندازه و ابعاد ۳۲.۶ * ۶۹.۵ * ۱۳.۵ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم ۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUSبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUS

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اندازه و ابعاد M.2 (۵۵.۶ * ۱۱۶.۲ * ۱۵.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۱۵۵ گرم 8.5 گرم
پورت اتصال حافظه USB ۳.۲ Gen ۲x۲ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه Aluminium, Silicone -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت | USB 3.2 Gen 2 | مشکی/خاکستری

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت | USB 3.2 Gen 2 | مشکی/خاکستری

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 No
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 8.5 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Grey
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)

مقایسه اس اس دی اکسترنال قابل حمل ADATA SC685با سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اکسترنال قابل حمل ADATA SC685

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۵ تا ۵۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۳۵ گرم 8.5 گرم
اندازه و ابعاد ۵۴.۸ * ۸۴.۷ * ۹.۵ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false