صفحه 14 از مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ MZ-JPU512T/A06 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ MZ-JPU512T/A06 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	80 * 22 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سن‌ دیسک PRO-G40 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS Sandisk

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سن‌ دیسک PRO-G40 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 35 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	12 * 58 * 111 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	121.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10 به بالا ** مک OS 10.13 به بالا
مواد بدنه	-	آلومینیوم
محتویات جعبه	-	کابل Thunderbolt 3 کابل USB 3.2 Gen 2 دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SE800 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا SE800 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 35 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	دارای گواهینامه IP68 استاندارد نظامی MIL-STD-810G - FCC, CE, KC, EAC, RoHS	-
رنگ‌بندی	مشکی، آبی	-
اندازه و ابعاد	12.2 * 44 * 72.7 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	40 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C تبدیل USB Type-A به USB Type-C دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کداک X120 Pro SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کداک VS Samsung

ویژگی	کداک X120 Pro SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	عرضه شده با دو کنترلر SMI یا Phison	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز XP و بالاتر مک OS نسخه 8.6 و بالاتر لینوکس 2.6 و بالاتر ** کروم OS	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	545 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	87000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	72000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 80 * 22 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

پاتریوت VS Samsung

ویژگی	پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L TLC	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2000 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	سازگار با محصولات AMD با استاندارد PCIe 4.0 ** قابلیت انتخاب بین 2 محافظ حرارتی آلومینیومی و گرافین	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	8 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لیتو Stage Boxبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لیتو VS Samsung

ویژگی	لیتو Stage Box	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
گروه‌بندی کلی	قابل حمل	-
شیوه اتصال	بی‌سیم و باسیم	-
توان واقعی (RMS) خروجی	10 W	-
جزئیات توان خروجی	2 عدد 5 وات	-
تعداد ووفرهای صوتی (Bass)	2 عدد	-
ابعاد درایور ووفر	165.1 میلی‌متر	-
محدوده فرکانس پاسخ‌دهی	120-20000 هرتز	-
میزان امپدانس	4 اهم	-
پشتیبانی جک ورودی صدا	true	-
نوع جک ورودی صدا	3.5 میلی‌متری	-
درگاه ورودی RCA	false	-
ورودی اپتیکال (Optical)	false	-
پورت کواکسیال	false	-
پشتیبانی از کارت حافظه TF	true	-
پورت USB	true	-
پورت خروجی هدفون	false	-
پورت ورودی میکروفون	true	-
نوع پورت ورودی میکروفون	6.35 میلی‌متری	-
میکروفون داخلی	false	-
پشتیبانی از تماس صوتی	false	-
پشتیبانی از Hi-Res	false	-
مقاومت IPX	خیر	-
قابلیت نویز کنسلینگ میکروفون	false	-
پشتیبانی از بلوتوث (Bluetooth)	true	-
نسخه بلوتوث موجود	5.0	-
فاصله عملکرد	10 متر	-
پشتیبانی از NFC	false	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از TWS امکان پخش رادیو کارائوکه	-
میزان ظرفیت باتری	5500 میلی‌آمپر ساعت	-
روش شارژ	از طریق درگاه اتصال به برق شهری	-
مواد بدنه	پلاستیک	-
نورپردازی	true	-
جزئیات نورپردازی	رقص نور	-
سایر ویژگی‌های طراحی	دارای نمایشگر LED امکان اتصال بند دوشی دارای استند برای نگهداری گوشی موبایل و تبلت	-
نشانگر وضعیت LED	true	false
اندازه و ابعاد	210 * 260 * 490 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	4200 گرم	7.7 گرم
نوع کاربری حافظه	-	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	-	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.8 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ T7 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ T7 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	8 * 57 * 85 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	58 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS X نسخه 10.10 و بالاتر انوید 5.0 و بالاتر * کنسول‌های بازی
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت کنترل دمای حافظه ** نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, RoHS2
مواد بدنه	-	آلومینیوم
رنگ‌بندی	-	خاکستری تیره، آبی، قرمز
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 384Gbit 32-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	555 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	515 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	55,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 145 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.27 وات * حالت فعال ** 0.34 وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پاتریوت Burst Elite SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

پاتریوت VS Samsung

ویژگی	پاتریوت Burst Elite SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	320 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	40,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	40,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 50 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مدیریت مصرف برق	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	7 * 69 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت GP-GSTFS31256GTND SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت GP-GSTFS31256GTND SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.24 وات * حالت خواندن ** 2.61 وات * حالت نوشتن ** 0.17 وات * حالت Idle	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	7.7 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه