صفحه 26 از مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	SanDisk 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	WD Architecture
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	384,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	1,700,000 ساعت (MTTF) ** 900 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	حداکثر 3.5 وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN, CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فدک مموری VS Samsung

ویژگی	فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	60 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر شوک ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کوئین تک Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای ای VS Samsung

ویژگی	کوئین تک Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE	-
مواد بدنه	فلز	-
رنگ‌بندی	مشکی، طلایی	-
وزن محصول	35 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس KM31 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس KM31 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	64 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	415 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	95 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	1,200,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.5 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE3256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت GP-GSM2NE3256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت آماده باش	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش قابلیت نمایش دمای حافظه نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لون JS300 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لون VS Samsung

ویژگی	لون JS300 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	76,000IOPS	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, SGS, ROHS, KC, FC	-
وزن محصول	40 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	390,000IOPS	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فدک مموری VS Samsung

ویژگی	فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	60 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سن دیسک Extreme Pro USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS Sandisk

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سن دیسک Extreme Pro USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	10.22 * 57.34 * 110.26 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	دارای گواهینامه IP55
مواد بدنه	-	پلاستیک
محتویات جعبه	-	کابل USB نوع C به USB نوع C تبدیل USB نوع C به USB نوع A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN850X NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Black SN850X NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 4.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	6300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	1100,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	5.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	پشتیبانی از ویندوز 8.1 به بالا
قابلیت‌های جانبی	-	سازگار با PlayStation® 5 ** نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه