صفحه 23 از مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	SM2258XT	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	2,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RCM, KCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	56 گرم	8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ASUS VS Samsung

ویژگی	ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 40 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا Mac OS X 10.6 به بالا ان*وید (دستگاه‌های دارای OTG)	-
قابلیت‌های جانبی	سرعت انتقال داده تا 10 گیگابیت بر ثانیه پشتیبانی از SSD با فرم فکتورهای 2230/2242/2260/2280 دارای نگهدارنده با قلاب R شکل به منظور حمل آسان ** دارای نورپردازی ARGB با پشتیبانی از فناوری ASUS Aura Sync و ROG Strix Arion	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
اندازه و ابعاد	10.9 * 47.7 * 124.5 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	98 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل USB-C به USB-A کابل USB-C به USB-C پین اجکتور ** دفترچه راهنما	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	-	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN850 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Black SN850 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	BiCS4 96L TLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	WD_BLACK G2
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	5300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	720,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	5 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 8.8 * 23.4 * 80.2 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	8 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	2.1 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SE900G USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا SE900G USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
سیستم‌عامل‌های سازگار	سازگار با ویندوز 8 به بالا سازگار با مک OS 10.6 به بالا سازگار با لینوکس Kernel 2.6 به بالا ** سازگار با ان*وید 5.0 به بالا	-
قابلیت‌های جانبی	نورپردازی RGB	-
اندازه و ابعاد	16.5 * 66 * 110.8 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	160 گرم	8 گرم
محتویات جعبه	کابل USB 3.2 Type-C به Type-C کابل USB 3.2 Type-C به Type-A دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	320 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G1B0B SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Samsung VS بلو

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS250G1B0B SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	79,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	70 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.35 وات * حالت خواندن ** 3.4 وات * حالت نوشتن ** 42 تا 45 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.9 تا 6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

Samsung VS وریتی

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	480 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	100,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	100 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

Samsung VS ویکومن

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	55 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SA3080 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس SA3080 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	46,000IOPS	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه