مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 4 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتنبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 4 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۶۷۵ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۷۵ مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۵ تا ۵۵ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Aluminium, Rubber	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۵ گرم	8 گرم
اندازه و ابعاد	۴۰ * ۱۰۵ * ۱۵ میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Trade Agreements Act (TAA)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 1 ترابایت مشکی - USB-C

Samsung VS ورباتیم

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 1 ترابایت مشکی - USB-C
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	No
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۵۴ * ۷۴.۸ * ۱۲.۵ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage diskAshur PRO3 4 ترابایت | FIPS 140-3 L3 | AES 256 بیتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage diskAshur PRO3 4 ترابایت \| FIPS 140-3 L3 \| AES 256 بیت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۸۳ * ۲۰.۸ * ۱۳۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۲۵۷ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۴۴۸ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۴ مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Metal	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS, ۲۵۶-bit AES-ECB, ۲۵۶-bit AES-CBC	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 240 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 240 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۶ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Zinc	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 1 ترابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 1 ترابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۶ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Zinc	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 2 ترابایت مشکی - با امنیت اثر انگشت

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 2 ترابایت مشکی - با امنیت اثر انگشت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۸۵ * ۸ * ۵۷ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Aluminium
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Store 'n' Go USB 3.2 Gen 1 512GB

Samsung VS ورباتیم

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Store 'n' Go USB 3.2 Gen 1 512GB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۸۱ * ۱۱۹ * ۷ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۹۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 2 ترابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 2 ترابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۶ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Zinc	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اکسترنال امن iStorage diskAshur² 1 ترابایت آبی - با رمزگذاری سخت‌افزاری 256 بیتی AES-XTS، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غباربا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اکسترنال امن iStorage diskAshur² 1 ترابایت آبی - با رمزگذاری سخت‌افزاری 256 بیتی AES-XTS، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غبار	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	آبی	-
وزن محصول	۱۸۰ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۲ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۵۸ مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Rubber, Silicone	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUSبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ایسوس VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUS	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۵۵.۶ * ۱۱۶.۲ * ۱۵.۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۱۵۵ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	USB ۳.۲ Gen ۲x۲	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه	Aluminium, Silicone	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	-	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 500 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 500 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۶ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Zinc	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه