صفحه 6 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

برند نامشخص VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۶ گرم	۴۶ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۴۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۳۵۰۴	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۶۹ گرم	۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND MLC
اندازه و ابعاد	PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۴۶ گرم
محتویات جعبه	HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	-	Serial ATA III

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	۸ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVOبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۸ ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۶ گرم	۱۴ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 QVO	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۸ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	QLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۶ گرم	۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال

مشاهده جزئیات مقایسه

4
5
6