صفحه 3 از مقایسه SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1$

مقایسه SSD اینترنال سامسونگ 860 پروبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۴۸۰۰	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۹۵.۲۵ گرم	۴۰ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو$

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	۹۵.۲۵ گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
میزان ظرفیت حافظه	-	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۴۸۰۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	-	Serial ATA III

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو$

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو

پردیتور VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۲۵۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۷۴۰۰۰ IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۴۸۰۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷ گرم	۹۵.۲۵ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۴۸۰۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۷ گرم	۹۵.۲۵ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو$

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو
فناوری رمزنگاری	Yes	۲۵۶-bit AES
میزان ظرفیت حافظه	۷.۶۸ ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۰۰۰۰۰ IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۴۸۰۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۵۱.۳ گرم	۹۵.۲۵ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۴۸۰۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۳ گرم	۹۵.۲۵ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۴۸۰۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۹۵.۲۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO$

مقایسه SSD اینترنال سامسونگ 860 پروبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۴۸۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۹۵.۲۵ گرم	۸ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۴۸۰۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
وزن محصول	-	۹۵.۲۵ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو$

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	۴۸۰۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷ گرم	۹۵.۲۵ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۹۰۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه SSD اینترنال سامسونگ 860 پروبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۴۸۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹۵.۲۵ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو$

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال سامسونگ 860 پرو
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۴۸۰۰
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸۶ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۹۵.۲۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES

مشاهده جزئیات مقایسه