صفحه 41 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ MZVLB512HAJQ PM981 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ MZVLB512HAJQ PM981 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung 64-Layer TLC 3D V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris V2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	420,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/1.0 میلی‌ثانیه ** بهینه ساز مصرف انرژی APST, L1.2
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	7 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	660,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پاتریوت P310 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

پاتریوت VS سامسونگ

ویژگی	پاتریوت P310 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	280,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	120 (TBW) ترابایت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.38 وات * حالت فعال ** 0.38 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (ETEP) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت پایش دمای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE,FCC,RoHS	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	6.6 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	55,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 620 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.85 W	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	71 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	DM620	-
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS سیگیت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES-256
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	7.7 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PS5018-E18-41
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	HP Custom SMI SM2263XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.52 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	5.4 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	62 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	BiCS3 64Layer WD 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	7 ×69.85 × 100.5 ميلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	59.7 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Marvell 88SS1074
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	100,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	80,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.85 وات * حالت خواندن ** 4.40 وات * حالت نوشتن 70 میلی‌وات به صورت میانگین 52 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 6 تا 9.7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NH NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NH NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5700 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	10.1 W	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SU720 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا SU720 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	30,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 50 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار SSD ToolBox نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, KCC, EAC, Morocco, RCM	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	47.5 گرم	۸ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه