صفحه 26 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی	کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8.5 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سیلیکون پاور Slim S55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سیلیکون پاور Slim S55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	32L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	63 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2258XT
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا ترنسند JetDrive 720 SATA ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ VS ترنسند

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	ترنسند JetDrive 720 SATA ظرفیت 240 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	495 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	427 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	10.8 * 37.2 * 110.9 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	65 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	فرم فکتور مخصوص اپل
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	مک OS X
قابلیت‌های جانبی	-	سازگار با مک‌بوک اپل ** نرم‌افزار JetDrive Toolbox
نشانگر وضعیت LED	-	true
محتویات جعبه	-	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال پیچ گوشتی با سری T5 پیچ گوشتی با سری P5 3 عدد پیچ پایه پلاستیکی کابل Micro-B به USB Type-A کیسه حمل ** دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GB

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GB
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار S120 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

بایواستار VS سامسونگ

ویژگی	بایواستار S120 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	420 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش و ضربه	-
اندازه و ابعاد	ضخامت 7 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	36 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

گلدن مموری VS سامسونگ

ویژگی	گلدن مموری NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3x4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SMV32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SMV32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	410 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	71 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 480 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

بایواستار VS سامسونگ

ویژگی	بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 480 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	۲۵۰ گیگابایت
کنترلر (Controller)	Marvell	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
اندازه و ابعاد	7 * 70 * 100 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	36 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Ultimate SU650 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU650 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Maxiotek	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 420 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار ADATA SSD ToolBox ** پشتیبانی از SLC Cache	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	7 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	RTS5766DL	-
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش سازگار با مابوردهای اینتل و AMD * پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1R33424با اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1R33424	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۱۵ ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۶۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.3 (۱۰۰.۵ * ۱۵ * ۷۰.۱ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۰۰ گرم	۸ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه