صفحه 12 از مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	-
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	63 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	ASMedia ASM2364
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 35 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	14 * 62 * 118 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	115 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر مک OS نسخه 10.11 و بالاتر پلی‌استیشن 5 پلی‌استیشن 4 پرو پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر ایکس باکس سری S و X ایکس باکس وان
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	85,000ّIOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	100,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	86 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	63 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی نرم‌افزار SP Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	MLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Transcend TS6500
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	70,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	512 MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	57 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

Samsung VS توشیبا

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	2175 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Samsung VS خودروسازی دی اس

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	170,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	0.11 وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	2.8 آمپر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه