صفحه 11 از مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Silicon Motion SM2258
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	80,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	MLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Transcend TS6500
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	70,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	512 MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	57 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	WD NVMe Architecture
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	540,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	SK Hynix DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	115 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.5 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	86 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه	-	پلاستیک
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	120,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	200 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	2.5 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL

مشاهده جزئیات مقایسه