صفحه 11 از مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 2175 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 120,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 200 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر -
وزن محصول 86 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر -
وزن محصول 86 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 63 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E26 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش 512MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 86 گرم

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Metis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 30,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit Encryption (Class 0)
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 70 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر -
وزن محصول 86 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر -
وزن محصول 86 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه