صفحه 49 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لون JS300 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی	لون JS300 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	SMI	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	72,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	63,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, SGS, ROHS, KC, FC	-
وزن محصول	40 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	7 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen 4.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	590,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	610,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E21T	-
نرخ خواندن ترتیبی	4900 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	525,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	950,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	5.2 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	End-to-End	Yes
قابلیت‌های جانبی	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	20 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت M.2 PCIe SSD ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	160,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	RTS5766DL	-
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 260 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش سازگار با مابوردهای اینتل و AMD * پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SMP25 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SMP25 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	64 MB	۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	70 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	20,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	8,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,200,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	100 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	SMI	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 1,600 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	47.5 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه K555LB ایسوس Core i7 8GB 2TB 2GBبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ASUS VS سامسونگ

ویژگی	K555LB ایسوس Core i7 8GB 2TB 2GB	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
اندازه و ابعاد	25.8 * 256 * 382 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	2.30 کیلوگرم	۸ گرم
سی‌پی‌یو (CPU)	Intel Core i7 5500U	-
فرکانس کاری پردازنده	2.4GHz تا 3GHz	-
مقدار حافظه کش	4 MB	-
مشخصات پردازنده گرافیکی مجزا	nvidia GeForce 940M	-
حافظه‌ی اختصاصی پردازنده‌ی گرافیکی	2 MB	-
ظرفیت رم	8 MB	-
ظرفیت حافظه‌ی ذخیره‌سازی	دو ترابایت	-
نوع حافظه‌ی ذخیره‌سازی	هارد دیسک	-
جزئیات حافظه داخلی	5400RPM	-
اندازه نمایشگر	15.6 اینچ	-
رزولوشن دیسپلی	1080×1920 - FHD	-
قابلیت لمسی در صفحه‌نمایش	false	-
پورت اترنت (شبکه)	true	-
قابلیت شبکه بی‌سیم	true	-
پشتیبانی از بلوتوث (Bluetooth)	false	-
پورت VGA	true	-
HDMI	true	-
پورت DVI	false	-
پورت USB Type C	false	-
قابلیت پشتیبانی از Thunderbolt	false	-
وجود جک هدفون/میکروفن	false	-
حجم و ظرفیت باتری	باتری لیتیوم-پلیمر با ظرفیت 37وات‌ساعت	-
مدت شارژدهی باتری (ساعت)	4:00 ساعت	-
درایو نوری (Optical Drive)	true	-
وبکم (Webcam)	true	-
کیبورد با نور پس‌زمینه (Backlit Keyboard)	false	-
حسگر اثر انگشت	false	-
کارت‌خوان (Card Reader)	true	-
نوع سیستم عامل	DOS فاقد سیستم‌عامل	-
نوع اسپیکر	بلندگوهای داخلی استریو	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
میزان ظرفیت حافظه	-	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	-	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	-	اینترنال

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Crucial VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	110 (TBW) ترابایت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه