صفحه 2 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سیلیکون پاور V85 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سیلیکون پاور V85 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 63 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 87,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2780 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 8.5 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2600 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC -
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 120 MB ۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 60 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
وزن محصول 34 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
اندازه و ابعاد - M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)

مقایسه فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر شوک ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت

مقایسه فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 60 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر شوک ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه

مقایسه لسی STHK2000800 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

لسی STHK2000800 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 10.2 * 78.7 * 94 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 90 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED true -
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه - Serial ATA III

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 8.2 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه گلکسبیت G500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

گلکسبیت G500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 120 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 519 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 491 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 35 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه اینتل SSD DC S3520 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اینتل SSD DC S3520 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 16nm MLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 380 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 67,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 16,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1750 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت فعال ** 0.6 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 7 * 69 * 100 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 66 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 ساعت (MTTF) ** 40 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 7.5 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 150,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.5 وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
نشانگر وضعیت LED - false