صفحه 11 از مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MBLPDDR3
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
وزن محصول	-	54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	۳D TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	۱۴۰۰
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	54.4 گرم	۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد	PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۹ گرم	54.4 گرم
محتویات جعبه	HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	-	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MBLPDDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS	90,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۳ گرم	54.4 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MBLPDDR3
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	90,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۷ گرم	54.4 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MBLPDDR3
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	90,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	54.4 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MBLPDDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۶۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۲.۶ گرم	54.4 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MBLPDDR3
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	Yes
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	54.4 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی XTG-200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی XTG-200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC/QLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک لینوکس	-
مواد بدنه	فلز	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MBLPDDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E19T	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 4.5 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	512MBLPDDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	54.4 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

Samsung VS خودروسازی دی اس

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	63,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.5 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	32.1 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

بایواستار VS Samsung

ویژگی	بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Marvell 88NV1120	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
اندازه و ابعاد	ضخامت 7 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	36 گرم	54.4 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MBLPDDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه