صفحه 15 از مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) Samsung MGX -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Samsung MGX -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 465 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 68,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,750,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 0.05 وات به صورت میانگین ** 2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 7 × 69.9 × 100.5 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 32 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مقایسه کینگ اسپک Q-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 360 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک Q-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 360 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 360 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 93,910IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 64,890IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 245 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.75 وات در حالت فعال 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد -
اندازه و ابعاد 7 * 70 * 100.4 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه پاتریوت Viper VPN100 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VPN100 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L TLC Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM SK Hynix DDR4 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی 6 باله‌ی حرارتی ** قابلیت پایش دمای حافظه ** نرم‌افزار VIPER VPN100 SSD Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 10.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MGX -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 63 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox

مقایسه پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TOSHIBA 15nm Toggle MLC NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) Marvell 88SS1093 Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1400 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 280,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR3 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 2 آمپر -
طول عمر متوسط 2,400,000 ساعت (MTBF) ** 768 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8.1 و بالاتر ** لینوکس -
مجوزها و تاییدیه‌ها UL, TUV, FCC, CE, BSMI, VCCI, RCM, KCC, EAC, ROHS, WHQL -
اندازه و ابعاد 3.65 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کلکسی USB 3.0 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کلکسی USB 3.0 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-A به Type-A از نوع USB 3.0 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک OS ** لینوکس ** ان*وید ** iOS -
قابلیت‌های جانبی امکان استفاده از *ایو با احراز هویت از طریق گوشی هوشمند ** امکان تشخیص فاصله دستگاه با گوشی موبایل متصل شده ** قفل خودکار دستگاه * صورت فاصله گرفتن از گوشی موبایل ** امکان اشتراک گذاری مدیریت شده با اشخاص دیگر -
اندازه و ابعاد 10 * 47 * 78 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
پورت اتصال حافظه - SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه امتک X150 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

امتک X150 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط - 12 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** بهینه ساز مصرف انرژی -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Kioxia 96L TLC NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E13T Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1650 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 640 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.38 وات * حالت فعال ** 0.38 وات * حالت Idle 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 45 گرم
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
میزان توان مصرفی - 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ایمیشن A320 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

ایمیشن A320 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1 آمپر -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.44 وات * حالت خواندن ** 3.42 وات * حالت نوشتن ** 0.3 وات * حالت آماده باش 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Imation Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, RoHS -
اندازه و ابعاد 7 * 69 * 100 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 80 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit