صفحه 13 از مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی	لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	51,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 800 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3,600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.05 وات * حالت آماده باش	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, RCM, KC, Morocco	-
اندازه و ابعاد	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	12 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور V85 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سیلیکون پاور V85 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	87,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	2,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	63 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی نرم‌افزار SP Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS بلو

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue SN550 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	SanDisk 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	WD Architecture
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	384,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	1,700,000 ساعت (MTTF) ** 900 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	حداکثر 3.5 وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN, CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M371 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E13T	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	2350 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 3.2 وات هنگام استفاده ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M461 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M461 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E21T	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	630,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 4.1 وات هنگام استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AS340X SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

Acer VS Samsung

ویژگی	اپیسر AS340X SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	87,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	true	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

Samsung VS ایکس انرژی

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100 میلی‌‌متر
وزن محصول	45 گرم	35 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	ASMedia ASM2364
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 35 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	14 * 62 * 118 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	115 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر مک OS نسخه 10.11 و بالاتر پلی‌استیشن 5 پلی‌استیشن 4 پرو پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر ایکس باکس سری S و X ایکس باکس وان
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

Samsung VS سیگیت

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	PS5018-E18-41
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES-256
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

پایونیر VS Samsung

ویژگی	پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	490,000IOPS	97,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه