صفحه 10 از مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	فرم فکتور مخصوص اپل
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	13 * 8 * 1 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	30 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	330 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	3.44 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.9 آمپر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کداک X100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

کداک VS Samsung

ویژگی	کداک X100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	عرضه شده با دو کنترلر SMI یا Phison	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز XP و بالاتر مک OS نسخه 8.6 و بالاتر لینوکس 2.6 و بالاتر ** کروم OS	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی مقاوم * برابر ضربه ** مقاوم * برابر لرزش	-
مواد بدنه	فلز	-
رنگ‌بندی	زرد	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SA3080 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

کینگ مکس VS Samsung

ویژگی	کینگ مکس SA3080 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	52,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 310 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	660,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2500 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	410,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 MB NANYA DDR3	256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

فدک مموری VS Samsung

ویژگی	فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	60 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر شوک ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای P09094-B21 SAS 2.5 Inch ظرفیت 3.2 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای P09094-B21 SAS 2.5 Inch ظرفیت 3.2 ترابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	3.2 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1095 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1045 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	210,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	124,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
میزان توان مصرفی	3.2 وات در حالت Idle	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	13.97 * 18.41 * 22.23 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	500 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت

Samsung VS خودروسازی دی اس

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	465 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTBF)
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	6.51 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

Crucial VS Samsung

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L TLC	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E13T	Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1150 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	12 گرم	45 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه