صفحه 11 از مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6.6 گرم	160 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Native SAS 3.0
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

PNY VS ام جی

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	100,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS ترنسند

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	57 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Transcend TS6500
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	70,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	25,000IOPS
میزان توان مصرفی	-	1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	320,000IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

PNY VS تروبایت

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6.6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
مواد بدنه	-	فلز
رنگ‌بندی	-	مشکی، طلایی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	86 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

PNY VS وسترن دیجیتال

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	WD NVMe Architecture
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	540,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	SK Hynix DDR4
میزان توان مصرفی	-	100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

PNY VS ویکومن

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	55 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

PNY VS بلو

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	4.8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	90,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	82,000ّIOPS
میزان توان مصرفی	-	50 میلی‌وات * حالت فعال ** 1.8 وات * حالت خواندن ** 2.0 وات * حالت نوشتن ** 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS وسترن دیجیتال

ویژگی	پی ان وای CS2230 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	200 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, Kcc, REACH, RoHS, VCCI, UKCA, RCM	BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	120,000IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه