1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 5

صفحه 5 از مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
VS
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

PNY VS سامسونگ
ویژگی

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

PNY VS پردیتور
ویژگی

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم ۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۲۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۷۴۰۰۰ IOPS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

PNY VS سی‌گیت
ویژگی

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۸۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
VS
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

PNY VS سامسونگ
ویژگی

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 6.6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون VS PNY
ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 6.6 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
VS
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

PNY VS سامسونگ
ویژگی

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 6.6 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی - مشکی
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
VS
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

PNY VS سی‌گیت
ویژگی

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 6.6 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۹۵۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت با پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت با پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار VS PNY
ویژگی

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 40.6 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی - بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار VS PNY
ویژگی

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D QLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) DM928 -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1.6 آمپر -
طول عمر متوسط 168 (TBW) ترابایت 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI,RCM BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ نوشتن ترتیبی - 1900 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت با پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت با پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Crucial VS PNY
ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 6.6 گرم
قابلیت‌های جانبی - بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت با پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت با پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

KingSpec VS PNY
ویژگی

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D MLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 698 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 41 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

PNY VS سیگیت
ویژگی

پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS RoHS
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
میزان توان مصرفی - 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مشاهده جزئیات مقایسه