صفحه 9 از مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	76,800IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	74,240IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

OCPC VS وسترن دیجیتال

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز 8.1 و بالاتر مک OS نسخه 10.11 و بالاتر پلی‌استیشن 5 پلی‌استیشن 4 پرو پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر ایکس باکس سری S و X ایکس باکس وان
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	14 * 62 * 118 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	115 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
کنترلر (Controller)	-	ASMedia ASM2364
محدوده دمای عملیاتی	-	5 تا 35 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

OCPC VS توشیبا

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	-
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	10 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Crucial VS OCPC

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	4600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	51 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

OCPC VS Samsung

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	86 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

OCPC VS وسترن دیجیتال

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	120,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	200 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

OCPC VS ام جی

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

OCPC VS سیگیت

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	47 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه