صفحه 2 از مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS OCPC

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷.۵ گرم	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	182,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS OCPC

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	-
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	-
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	-	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	182,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS OCPC

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۶۰۰۰ IOPS	182,000IOPS
اندازه و ابعاد	M.۲	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۲.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	QLC
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS OCPC

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS	182,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷.۳ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

OCPC VS فیلیپس

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۴۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۳۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۳۸.۲ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۳.۸۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	۲.۵"
وزن محصول	-	۵۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

دِل VS OCPC

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	512 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	-
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2
نرخ خواندن ترتیبی	-	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	182,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS OCPC

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۶۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۲.۶ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	182,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS OCPC

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۷۰۰۰ IOPS	150,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۱۰۰۰ IOPS	182,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷۰ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2
نرخ خواندن ترتیبی	-	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی FORMULA NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	182,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه