صفحه 6 از مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

msi VS مایکروسافت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS msi

ویژگی	لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D QLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	DM928	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 1.6 آمپر	-
طول عمر متوسط	168 (TBW) ترابایت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI,RCM	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نرخ نوشتن ترتیبی	-	5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	700,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

msi VS PNY

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

msi VS سیگیت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle	6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	47 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E18	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	2GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle	5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

msi VS بلو

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	81,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle	52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	350,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS msi

ویژگی	کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	35,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.59 وات * حالت خواندن ** 2.515 وات * حالت نوشتن 0.693 وات به صورت میانگین 0.672 وات * حالت آماده باش	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** نرم‌افزار Acronis Data Migration	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	57 گرم	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری * کیس کابل USB کابل ساتا کابل دیتا شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle	3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	86 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Crucial VS msi

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	700,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه