صفحه 8 از مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	25,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

msi VS ترنسند

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.5 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

msi VS ام جی

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

msi VS ویکومن

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 70 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
وزن محصول	-	55 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

msi VS ترنسند

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

msi VS ام جی

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Silicon Motion SM2258
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	80,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

msi VS توین موس

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	155 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک OS نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
رنگ‌بندی	-	خاکستری، رزگلد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

msi VS توشیبا

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر
وزن محصول	-	2175 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

msi VS توشیبا

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	-
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

msi VS سیلیکون پاور

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	SLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

KingSpec VS msi

ویژگی	کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW)	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 3300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 7.0 وات هنگام استفاده ** 25 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها

مشاهده جزئیات مقایسه