صفحه 10 از مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3	LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	MAP1202
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	260,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
وزن محصول	34 گرم	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
رنگ‌بندی	-	آبی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

لکسار VS Samsung

ویژگی	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار VS msi

ویژگی	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS اچ پی

ویژگی	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	370,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3	1 MB Micron DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

لکسار VS سیگیت

ویژگی	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	47 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS لکسار

ویژگی	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	DM620
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	256,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS توین موس

ویژگی	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	-
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	1,200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	-
وزن محصول	34 گرم	660 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار VS Samsung

ویژگی	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTTF) ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

لکسار VS Samsung

ویژگی	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3	4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3	1 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی	-	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box

مشاهده جزئیات مقایسه