صفحه 6 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A80342

در این صفحه 3 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A80342با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A80342

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

میزان ظرفیت حافظه ۳.۲ ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۲۰۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲.۵" ۲.۵"
پورت اتصال حافظه SAS Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول - ۵۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A80342با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A80342

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung TLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۲۰۰۰۰ IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 800,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A80342با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A80342

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۲ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۴۲۰۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 1,550,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false