صفحه 6 از مقایسه لنوو 4XB7A17096 SSD اینترنال

در این صفحه 4 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لنوو 4XB7A17096 SSD اینترنالبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی	لنوو 4XB7A17096 SSD اینترنال	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۸۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۳۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	3.5" (۲۵۷ * ۱۹۳ * ۹۵ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۸۴ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لنوو 4XB7A17096 SSD اینترنالبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	لنوو 4XB7A17096 SSD اینترنال	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۸۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۳۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	3.5" (۲۵۷ * ۱۹۳ * ۹۵ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۸۴ گرم	۸ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لنوو 4XB7A17096 SSD اینترنالبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	لنوو 4XB7A17096 SSD اینترنال	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۸۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۳۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	3.5" (۲۵۷ * ۱۹۳ * ۹۵ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۸۴ گرم	۸ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لنوو 4XB7A17096 SSD اینترنالبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS msi

ویژگی	لنوو 4XB7A17096 SSD اینترنال	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۸۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۰۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
طول عمر متوسط	۳۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	3.5" (۲۵۷ * ۱۹۳ * ۹۵ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	۴۸۴ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه